EDA课程设计报告DOC
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1、天津工业大学 毕业实践实习报告 N沟道MOS管工艺模拟与器件模拟 班 级： 电科1103 学 号： 1110940316 姓 名： 汪兆明 成 绩： 2015年4月1日 、实践目的 熟练氧化、离子注入与扩散工艺，使用 Silvaco软件进行模拟，掌握CMOS 工艺流程。学会用Silvaco软件提取MOS晶体管的各种参数，掌握用 SILVACO 工具对MOS晶体管进行器件模拟 二、 实践要求 1、 用An the na构建一个NMO管，要求沟道长度不小于0.8微米，阈值电压在 -0.5v至1V之间。 2、 工艺模拟过程要求提取 S/D结结深、阈值电压、沟道表面掺杂浓度、
2、 S/D 区薄层电阻等参数。 3、 进行器件模拟，要求得到NMO输出特性曲线族以及特定漏极电压下的转移 特性曲线，并从中提取 MOST的阈值电压和：值。 4、 分析各关键工艺步骤对器件性能的影响。 三、 操作步骤 1、 启动silvaco软件。 2、 创建一个网格并定义衬底的参数。 3、 由于本实验运用了 cmos工艺，所以先在衬底上做一个p阱，严格定义p阱 的浓度，注入能量，以及阱区的推进。 4、 生长栅氧化层，严格控制各参数。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 5、 淀积多晶硅，其厚度为0.2um。 6
3、刻蚀掉x=0.35左面的多晶硅，然后低剂量注入磷离子，形成轻掺杂层，剂 量为3e13，能量为20kev。 7、 淀积氧化层，然后再进行刻蚀，以进行下一步的源漏区注入。 8、 进行源漏砷离子的注入，剂量为 4e15,能量为40kev。 9、 淀积铝，形成S/D金属接触。 10、 进行向右镜像操作，形成完整的 nmos结构并定义电极。 11、 抽取源漏结深，阈值电压，n+区薄层电阻，沟道表面掺杂浓度，轻掺杂源 漏区的薄层电阻等参数。 12、 描述输出特性曲线并绘出。 13、 描述转移特性曲线并绘出，同时从中提取 MOST的阈值电压和：值。 四•测试结果 4.1测试结果分析 4.1
4、.1.工艺图 心 9^3 山吐 QJB I 1.4 NlUMl 4.12获取器件参数 在这一部分，我们将提取这半个 NMO结构的一些器件参数，这些参数包括: a. 结深 b. N++源漏方块电阻 c. 边墙下LDD区的方块电阻 d. 长沟阈值电压计算结深 计算结深的语句如下： extract n ame="nxj" xj silic on mat.occ no=1 x.val=0.1 jun c.occ no=1 Ehang(ii_iijm&s in " D&ckbuild. Fils Edit Search. Format Vi ew Co
5、flimands Esc的龙]■色呂 Help EXTRAC1> iniv infiLe=rrAIaO358Orr EXTRACT> extract nane-^nxj^ xi silicon mat-occno=l x.val-0.1 junc.accno^l nxj=0,5S2222 w ftom top cf first Siliccn l&yet X,v&l=0-1 获取N++源/漏极薄层电阻 extract n ame="n++ sheet rho" sheet.res material="Silic on" mat.occ no=1 x.val=0.05 regi
6、 on. occ no=1
d|qs|h| ^IMbIizII
► I ■[H>j
DcTrACT> # extract the N++ regions sheet resistance
EXTRACTS extract nane=nn++ sheet rhDn sheet.res materSi 1 ican 7、qss=1e10 x.val=0.49
在这条extract语句中，1dvt指测量一维阈值电压；ntype指器件类型； x.val=0.49 为器件沟道内一点；qss=1e10指浓度为1e10cm-3的表面态电 荷; vb=0.0栅极偏置0V。
丄I ■|n21祁闵一|剧|
科 EXTRACT> 善 sktract the long chan Vt
-'EXTRACT> extr act naiu"nldvt" ldvt ntype vb=0.0 qss=lelO x. val=O. 49
nldvt；—0.02S9139 V X,val=0.49
沟道表面掺杂浓度
extrac 8、t n ame="cha n surf cone" surf.c one impurity="Net Doping" \ material="Silic on" mat.occ no=1 x.val=0.45
甘■Ml出k|xH电
eilract nauje=ffnldvt* ldvt ntype vb=Q. 0 qss=lelO i.val=O. 49
jf exttact uie sunacc cone una?i tJie channel.
EKTUCT> ent act zume^chan surf conc，r syrf.conc inprri如Tfet j卯増"n 9、牝 Efi 証三吓iLimif imt/ccno" x^al=O^5 chan surf conc-5.22219e+015 atOLS/cai3 X,val=0,45
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|LAit市教育局冬季运动会安全工作预案
